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模擬靜電場描繪儀
導(dǎo)電微晶法靜電場描繪儀是由導(dǎo)電微晶、單層固定支架、導(dǎo)電微晶電*等組成；電*已制作在導(dǎo)電微晶上，并將電*引線接出到外接線柱上，電*間制作有導(dǎo)電率，小于電*且向均勻的導(dǎo)電介質(zhì)。接通直流電源可以進行實驗，位置可直讀。
實驗?zāi)康模?/span>
1.模擬法測繪靜電場；
2.采用導(dǎo)電微晶法，電阻微晶結(jié)構(gòu)，位置可直讀；
規(guī)格參數(shù)：
單層結(jié)構(gòu)：減小雙層結(jié)構(gòu)不同軸帶來的誤差；
描繪平臺：約200*200*4mm，電*可*換；
鍍金彈性探頭，接觸電阻小，接觸穩(wěn)；
電*數(shù)量；2個，同軸電纜、長平行導(dǎo)線（可選配3個：點與平板、平行板、**）；
電阻微晶：約125*125*0.2mm均勻、耐磨；
電*規(guī)格：約200*150*3mm（不容易破損，減少玻璃易破的確點）；
電壓輸出：DC 0-12V數(shù)顯，連續(xù)可調(diào)；
精度范圍：0.01V，短路保護功能；
直流電壓測量：0-19.99V；
電壓測量精度：0.01V；
等勢線位置橫坐標與縱坐標數(shù)字顯示；精度：0.01mm；
配電阻微晶鍍金電*板：同軸電纜、長平行導(dǎo)線，電*板可*換